VDMOS产物

根源:     作者:系统管理员     公布工夫:2009年05月07日     欣赏次数:       澳门新葡京娱乐  新葡京平台官方网站
 

一、 产物选型

160V200VVDMOS产物,次要应用于电源管理及DC/DC转换器、UPS电源及汽车利用等;

2、大于200VVDMOS产物,用于开关电源、产业机电节制及电子整流器等;

3、 后继将开辟和出产低于60V的产物,应用于电池管理及DC/DC转换器等。

      项目产物范例

序号

产品型号

电压(V

电流(A

1

50N06

60

50

2

75NF75

75

75

5

IRF630

200

9

6

IRF640

200

18

7

IRF634

250

8

9

IRF730

400

5

10

IRF740

400

10

11

IRF830

500

4.5

12

IRF840

500

9

13

1N60

600

1

14

7N60

600

7

15

7N80

800

7

16

1N80

800

1

17

9N90

900

9

18

6N90

900

6

 

两、 技能特性

取双极型功率器件比拟,功率VDMOS具有以下特性:

1VDMOS是电压节制型器件(双极型是电流节制型器件),是以正在驱动年夜电流时无需鞭策级,电路较简朴;

2、输入阻抗下,可达108Ω以上;

3、事情频次范畴宽,开关速度下(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关消耗小;

4、有较精良的线性区,而且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小很多,以是它的交换输入阻抗极高;噪声也小,最符合建造Hi-Fi声响;

5、功率VDMOS能够多个并联利用,增添输出电流而无需均流电阻。

三、技术优势

把握了具有自主知识产权的量产关键技术:

1实现产品设计、生产工艺取硅内涵质料的最好婚配;

2实现对栅氧化膜膜厚平均性取氧化层击穿韧性的节制;

3经过装备改革实现静电防护并改动P阱内杂质漫衍,进步产物静态特性;

4优化和美满铝下钝化工艺,进步产物特性和出产良品率。

四、工艺技术道路

以中压N沟道平面工艺的VDMOS产物为突破口,完成60V800V产物的系列化,在此基础上,背高压凹槽工艺的VDMOS产物延长,同时实现P沟道VDMOS产物的开辟。经过技术交流或技能转移探求技术合作同伴,进入IGBT和快规复二极管范畴。

五、年产量

集团公司操纵自主知识产权,施行VDMOS生产线扶植、厂房和动力办法扶植,经过工艺集成和适用产物的试流,对工艺举行优化,实现大功率VDMOS产物范围出产,已构成年产 5英寸 功率半导体器件芯片2.2万片生产能力。